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    STUW81300高性能双架构频率合成器中文简介及引脚图

    来源:意法半导体代理商| 发布日期:2024-09-25 14:00:01 浏览量:

    STUW81300是一款集成了双架构频率合成器(小数 N 分频和整数 N)和四个低相位噪声 VCO 的高性能芯片。该芯片具有快速自动中心频率校准功能,能够在单个器件中提供从 1.925 GHz 到 16 GHz 的宽广频率范围。通过集成低噪声 LDO 稳压器和内部匹配的宽带射频输出,STUW81300 优化了最终应用的尺寸和成本。

    STUW81300高性能双架构频率合成器中文简介

    STUW81300功能特点

    -宽广的输出频率范围:1.925 GHz 至 16 GHz。

    -射频输出:

      -射频输出 1(VCO、VCO÷2):1.925-8.0 GHz。

      -射频输出 2(VCO x 2):7.7-16.0 GHz。

    -极低的噪声:

      - 归一化相位本底噪声:-227 dBc/Hz。

      - VCO 相位噪声(6.0 GHz):-131 dBc/Hz @ 1 MHz 偏移。

      - 本底噪声(6.0 GHz):-158 dBc/Hz。

      - 相位噪声(12 GHz):-125 dBc/Hz @ 1 MHz 偏移。

      - 本底噪声(12 GHz):-154 dBc/Hz。

    -集成 VCO:具有快速自动中心频率校准功能。

    -外部 VCO 选项:支持带 5 V 电荷泵的外部 VCO。

    -倍频器输出:基波 VCO 抑制在倍频器输出高于 20 dB 时。

    -内部宽带匹配射频输出:提供 +6 dBm @ 6 GHz 和 +4 dBm @ 12 GHz 单端。

    -集成低噪声 LDO:优化电源稳定性。

    -最大鉴相器频率:100 MHz。

    -精确频率模式:支持高精度频率合成。

    -差分参考时钟输入:支持高达 800 MHz 的差分参考时钟输入,符合 LVDS 和 LVECPL 标准。

    -集成参考晶体振荡器内核:提供稳定的参考时钟。

    -R/W SPI 接口:支持读写操作,方便配置和监控。

    -逻辑兼容性:1.8 V/3.3 V 逻辑兼容性/容差。

    -电源电压:3.0 V 至 5.4 V。

    -封装:小尺寸外露焊盘 VFQFPN36 封装,尺寸为 6x6x1.0 mm。

    -工艺:BICMOS 0.25 μm SiGe。

    其他功能

    -晶体振荡器内核:集成的晶体振荡器内核提供稳定的参考时钟,确保频率合成的准确性。

    -外部 VCO 模式:支持外部 VCO 模式,提供更大的灵活性。

    -输出静音功能:可以在需要时关闭输出,减少功耗和干扰。

    -低功耗模式:通过权衡电流消耗与相位噪声性能和/或输出电平,实现低功耗操作。

    STUW81300应用领域

    -通信系统:无线基站、卫星通信、雷达系统。

    -测试与测量设备:频谱分析仪、信号发生器。

    -工业自动化:高精度传感器、控制系统。

    -医疗设备:超声设备、成像系统。

    STUW81300引脚图

    STUW81300引脚图


    STUW81300采购型号

    STUW81300TR

    STUW81300T

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